- MBE diode
- діод, виготовлений із застосуванням молекулярно-пучкової епітаксії
English-Ukrainian dictionary of microelectronics. 2013.
MBE diode
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IMPATT-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Lawinen-Laufzeit-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Read-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Si/SiGe resonant interband tunnel diode — A Si/SiGe resonant interband tunnel diode (RITD) is a type of resonant interband tunnel diodeswhich is based on Si/SiGe materials.All types of tunnel diodes, including Si/SiGe resonant interband tunnel diodes,make use of the quantum mechanical… … Wikipedia
Resonant interband tunnel diode — Resonant interband tunnel diodes (RITDs) combine the structures and behaviors ofboth intraband resonant tunnel diodes (RTDs) and conventional interband tunnel diodes,in which electronic transitions occur between the energy levels in the… … Wikipedia
Kleinsignalanalyse — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Lawinenlaufzeitdiode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Molecular-beam epitaxy — (MBE), is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho.MethodMolecular beam epitaxy takes place in high vacuum or ultra high vacuum (10−8… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
